书目详细信息
： 存储器工艺与器件技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-302-62318-2:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 存储器工艺与器件技术/.霍宗亮 ... [等] 编著 |
| 出版发行项： | 北京:,清华大学出版社:,2023 |
| 载体形态项： | xi, 412页:;+图:;+26cm |
| 丛编项： | 中国科学院大学研究生教材系列 |
| 提要文摘： | 本书共12章, 包括半导体存储器分类、NANDFlash技术、3D NANDFlash制造工艺、3D NANDFlash器件单元特性、3D NANDFlash模型模拟技术、3D NANDFlash阵列及操作、3D NANDFlash可靠性特性与测试、NANDFlash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等。为帮助读者深入掌握有关内容, 每一章还选入了适量的习题。 |
| 题名主题： | 存贮器 |
| 中图分类： | TP333 |
| 个人名称等同： | 霍宗亮 编著 |
| 个人名称等同： | 夏志良 编著 |
| 个人名称等同： | 靳磊 编著 |
| 记录来源： | CN 北京思得乐 20240324 |