书目详细信息
： 短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-066300-9:CNY88.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征/.王军著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2020.10 |
| 载体形态项： | 149页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书以不同研究阶段采用的不同方法为脉络, 从新型器件研发初始阶段的仿真模拟, 递进到基于物理的理论数学模型推导和基于样片测量的实验研究与半经验模型表征, 揭示了短沟道器件与长沟道器件高频热噪声机理完全不同的偏置不守恒特性和频率依赖性。最后, 介绍了人工智能技术在器件噪声建模中的应用。 |
| 题名主题： | 微电子技术 电子器件 高频 噪声 研究 |
| 中图分类： | TN4 |
| 个人名称等同： | 王军 著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20201201 |