书目详细信息
： 集成电路器件抗辐射加固设计技术
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-074714-3:CNY129.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 集成电路器件抗辐射加固设计技术/.闫爱斌 ... [等] 著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2023 |
| 载体形态项： | 214页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书共分为6章, 分别为绪论、常用的抗辐射加固设计技术及组件、表决器的抗辐射加固设计技术、锁存器的抗辐射加固设计技术、主从触发器的抗辐射加固设计技术以及SRAM单元的抗辐射加固设计技术。通过学习本书内容, 读者可以强化对集成电路器件抗辐射加固设计技术的认知, 了解该领域的当前最新研究成果和相关技术。 |
| 题名主题： | 集成电路 电子器件 抗辐射性 机械加固 设计 |
| 中图分类： | TN4 |
| 个人名称等同： | 闫爱斌 著 |
| 个人名称等同： | 倪天明 著 |
| 个人名称等同： | 黄正峰 著 |
| 记录来源： | CN 四川悦科 20231020 |